8960的28纳米制程与4212的32纳米的制程区别

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-19 23:40:59

三星exynos4212制造工艺采用新的32nm HKMG(高K金属栅极)，而8960采用的是台积电的28nm LP（lower power 低功耗）。
这里8960的28NM是属于旧工艺，漏电高，耗电大，功耗大，用在手机上还不如40NM成熟，稳定。高通急功冒进直接上了28NM 工艺，而28NM HKMG 工艺目前的技术存在成品率低的情况, 还不能实现量产，所以只能用28nm lp工艺
具体两种工艺谁更省电呢？性能更好呢？32nm HKMG 更省电。一般而言的话，节点制程越小，漏电越难控制，但能容纳的晶体管越多。HKMG 虽然所需电流大，但漏电情况比(lp)poly/sion易控制，效率更高。业界最好的工艺是HKMG——高K金属栅极技术，不过HKMG工艺虽好，技术仍然不算成熟，制造难度大，所以三星目前也只是32nm HKMG工艺，据说台积电是计划就越到年底提供28nm HKMG工艺
CPU的制程工艺不是说越小越好，还要看是不是稳定，工艺是否成熟，工艺的新旧。从实际来看，由于是APQ 806/89604是28NM老工艺，性能在发热，稳定性，耗电功耗上，综合是不如32nm HKMG的。
PS：转载的，感觉说的蛮对的

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-19 23:47:02

用过9300的据说使用温度略比我这个S3 8660低一点，但是用one XL的说，在太阳直照下使用温度43度，普通flash只有37度

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-19 23:49:32

思梦潮发表于 2012-10-19 23:47
用过9300的据说使用温度略比我这个S3 8660低一点，但是用one XL的说，在太阳直照下使用温度43度，普通flash ...

这就不清楚了，要是有这2部机子的试试让CPU满负荷运作再测试下温度

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-19 23:58:58

怎么说呢，这些光凭所谓的理论分析是分析不出什么来的，因为关于那些生产技术核心我们一无所知，我们所知道的也只是厂家告诉我们的结果。
事实上，据我们老师说的是，现在所有的所谓的XXnm的数据都是在吹牛，因为现在根本就没有该尺度的工业测量设备，现在所能较精确测量的尺度最低也就到60~70nm。

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-20 09:40:19

星河梦发表于 2012-10-19 23:58
怎么说呢，这些光凭所谓的理论分析是分析不出什么来的，因为关于那些生产技术核心我们一无所知，我们所知道 ...

发热量降低，晶体管数量与核心面积比例

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-20 11:15:01

这个要等出来才知道吧

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-20 11:36:20

小米2能煎鸡蛋

显示全部楼层 · 发表于 2012-10-20 11:55:55

xncqf 发表于 2012-10-20 11:36
小米2能煎鸡蛋

不就50多度嘛，ONE X也能到50多度，MX老双核都60多度了哦

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