计算机配件基本常识介绍与常见问题解答

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　二：SATA与ATA区别

　　串行高级技术配件（SATA）是一项新兴的标准电子接口技术。SATA的性能有望超过前一代技术--并行ATA，因为它可以提供更高的性能，而成本却只是SCSI或光纤通道等传统存储技术的一小部分。

　　顾名思义，SATA只是一种串行链接接口标准，用来控制及传输服务器或存储设备到客户端应用之间的数据和信息。SATA用来把硬盘驱动器等存储设备连接到主板上，从而增强系统性能、提高效率、大幅降低开发成本。

　　要了解SATA的优点，就需要深入地了解并行ATA。并行ATA是基于集成驱动器电路（IDE）接口标准的一项硬驱技术，用于传输及交换计算机主板总线到磁盘存储设备间的数据。

　　许多低端的网络连接存储（NAS）设备之所以采用并行ATA驱动器，是因为成本效益。另外，还因为众多的高带宽应用，譬如备份与恢复、视频监控、视频处理以及使用磁盘而不是磁带的近线存储。

　　采用SATA的存储设备配置起来要比采用并行ATA简便得多，这归因于其较小的格式参数。SATA所用的电缆要比并行ATA更长、更细，后者采用又粗又短又容易断裂的电缆。另外，SATA采用7针数据连接器，而不是并行ATA的40针连接器。

　　连接到磁盘驱动器的粗电缆装配起来比较困难，还会堵住气流、导致发热，这一切都会影响硬件系统的总体性能和稳定性。SATA铺设及安装起来简单多了，紧凑性为主板和磁盘驱动器腾出了多余的空间。

　　SATA还采用低电压差分信号技术，这与低功耗和冷却的需求相一致。信号电压从并行ATA的5伏降低到了SATA的区区0.7伏。这不仅降低了磁盘驱动器的功耗，还缩小了开关控制器的尺寸。

　　这项接口技术采用了8/10位编码方法，即把8位数据字节编码成10位字符进行传输。采用串行技术以及8/10位编码法，不仅提高了总体的传输性能，还完全绕开了并行传输存在的问题。这种数据完整性很高的方案提供了必要的嵌入计时和重要的数据完整性检查功能，而这正是高速传输所需要的。

　　SATA采用了点对点拓扑结构，而不是普遍应用于并行ATA或SCSI技术的基于总线的架构，所以SATA可以为每个连接设备提供全部带宽，从而提高了总体性能。据SATA工作组（Serial ATA Working Group）声称，由于进度表包括了三代增强型数据传输速率：设备的突发速率分别为150Mbps、300Mbps和600Mbps，SATA因而保证了长达10年的稳定而健康的发展期。这项新标准还向后兼容，这样串行格式转换成并行格式就更方便了，反之亦然，而且还会加快采用SATA的速度。

　　由于采用柔韧的细电缆、热插拔连接器、提高了数据可靠性和保障性，而且软件上完全兼容，SATA将给廉价的网络存储产品带来巨大的市场机会。许多磁盘驱动器和芯片生产商已经宣布推出支持SATA的产品，由80余家厂商组成的SATA工作组也得到了业界的广泛支持。

　　目前，SATA的成本比并行ATA高出15%左右，但差距正在迅速缩小。预计在不远的将来，SATA的成本将与如今的并行ATA持平。

　　

　　三：笔记本硬盘

　　尺寸：笔记本电脑所使用的硬盘一般是2.5英寸，而台式机为3.5英寸，由于两者的制作工艺技术参数不同，首先，2.5硬盘只是使用一个或两个磁盘进行工作，而3.5的硬盘最多可以装配五个进行工作；另外，由于3.5硬盘的磁盘直径较大，则可以相对提供较大的存储容量；如果只是进行区域密度存储容量比较的话，2.5硬盘的表现也相当令人满意。笔记本电脑硬盘是笔记本电脑中为数不多的通用部件之一，基本上所有笔记本电脑硬盘都是可以通用的。

　　厚度：但是笔记本电脑硬盘有个台式机硬盘没有的参数，就是厚度，标准的笔记本电脑硬盘有9.5，12.5，17.5mm三种厚度。9.5mm的硬盘是为超轻超薄机型设计的，12.5mm的硬盘主要用于厚度较大光软互换和全内置机型，至于17.5mm的硬盘是以前单碟容量较小时的产物，现在已经基本没有机型采用了。

　　转数：笔记本电脑硬盘现在最快的是5400转2M Cache，支持DMA100（主流型号只有4200转512K Cache，支持DMA66），但其速度和现在台式机最慢的5400转512K Cache硬盘比较起来也相差甚远，由于笔记本电脑硬盘采用的是2.5英寸盘片，即使转速相同时，外圈的线速度也无法和3.5英寸盘片的台式机硬盘相比，笔记本电脑硬盘现在已经是笔记本电脑性能提高最大的瓶颈。

　　接口类型：笔记本电脑硬盘一般采用3种形式和主板相连：用硬盘针脚直接和主板上的插座连接，用特殊的硬盘线和主板相连，或者采用转接口和主板上的插座连接。不管采用哪种方式，效果都是一样的，只是取决于厂家的设计。

　　早期的笔记本的接口采用的主要是UltraATA/DMA 33，然而笔记本硬盘转速以及容量的提高使得它成为一个阻碍本本电脑速度的瓶颈。为此正如台式机的发展趋势， Ultra ATA/DMA 66/100/133也被运用到了笔记本硬盘上。目前使用的是Ultra ATA100，E-IDE接口的产品在提供了高达100MB/s最大传输率的同时还将CPU从数据流中解放了出来。

　　现在SATA串口技术已在广泛使用在了台式机的硬盘中，目前在笔记本硬盘中也开始广泛应用Serial ATA接口技术，采用该接口仅以四只针脚便能完成所有工作。该技术重要之处在于可使接口驱动电路体积变得更加简洁，高达150Mb/s的传输速度使厂商能更容易地制造出对处理器依赖性更小的微型高速笔记本硬盘。

　　容量及采用技术：由于应用程序越来越庞大，硬盘容量也有愈来愈高的趋势，对于笔记本电脑的硬盘来说，不但要求其容量大，还要求其体积小。为解决这个矛盾，笔记本电脑的硬盘普遍采用了磁阻磁头（MR）技术或扩展磁阻磁头（MRX）技术，MR磁头以极高的密度记录数据，从而增加了磁盘容量、提高数据吞吐率，同时还能减少磁头数目和磁盘空间，提高磁盘的可靠性和抗干扰、震动性能。它还采用了诸如增强型自适应电池寿命扩展器、PRML数字通道、新型平滑磁头加载/卸载等高新技术。

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　四：缓存

　　缓存（Cache memory）是硬盘控制器上的一块内存芯片，具有极快的存取速度，它是硬盘内部存储和外界接口之间的缓冲器。由于硬盘的内部数据传输速度和外界介面传输速度不同，缓存在其中起到一个缓冲的作用。缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素，能够大幅度地提高硬盘整体性能。当硬盘存取零碎数据时需要不断地在硬盘与内存之间交换数据，如果有大缓存，则可以将那些零碎数据暂存在缓存中，减小外系统的负荷，也提高了数据的传输速度。

　　硬盘的缓存主要起三种作用：一是预读取。当硬盘受到CPU指令控制开始读取数据时，硬盘上的控制芯片会控制磁头把正在读取的簇的下一个或者几个簇中的数据读到缓存中（由于硬盘上数据存储时是比较连续的，所以读取命中率较高），当需要读取下一个或者几个簇中的数据的时候，硬盘则不需要再次读取数据，直接把缓存中的数据传输到内存中就可以了，由于缓存的速度远远高于磁头读写的速度，所以能够达到明显改善性能的目的；二是对写入动作进行缓存。当硬盘接到写入数据的指令之后，并不会马上将数据写入到盘片上，而是先暂时存储在缓存里，然后发送一个“数据已写入”的信号给系统，这时系统就会认为数据已经写入，并继续执行下面的工作，而硬盘则在空闲（不进行读取或写入的时候）时再将缓存中的数据写入到盘片上。虽然对于写入数据的性能有一定提升，但也不可避免地带来了安全隐患——如果数据还在缓存里的时候突然掉电，那么这些数据就会丢失。对于这个问题，硬盘厂商们自然也有解决办法：掉电时，磁头会借助惯性将缓存中的数据写入零磁道以外的暂存区域，等到下次启动时再将这些数据写入目的地；第三个作用就是临时存储最近访问过的数据。有时候，某些数据是会经常需要访问的，硬盘内部的缓存会将读取比较频繁的一些数据存储在缓存中，再次读取时就可以直接从缓存中直接传输。

　　缓存容量的大小不同品牌、不同型号的产品各不相同，早期的硬盘缓存基本都很小，只有几百KB，已无法满足用户的需求。2MB和8MB缓存是现今主流硬盘所采用，而在服务器或特殊应用领域中还有缓存容量更大的产品，甚至达到了16MB、64MB等。

　　大容量的缓存虽然可以在硬盘进行读写工作状态下，让更多的数据存储在缓存中，以提高硬盘的访问速度，但并不意味着缓存越大就越出众。缓存的应用存在一个算法的问题，即便缓存容量很大，而没有一个高效率的算法，那将导致应用中缓存数据的命中率偏低，无法有效发挥出大容量缓存的优势。算法是和缓存容量相辅相成，大容量的缓存需要更为有效率的算法，否则性能会大大折扣，从技术角度上说，高容量缓存的算法是直接影响到硬盘性能发挥的重要因素。更大容量缓存是未来硬盘发展的必然趋势。

　　

　　五：转速

　　转速(Rotationl Speed)，是硬盘内电机主轴的旋转速度，也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成的最大转数。转速的快慢是标示硬盘档次的重要参数之一，它是决定硬盘内部传输率的关键因素之一，在很大程度上直接影响到硬盘的速度。硬盘的转速越快，硬盘寻找文件的速度也就越快，相对的硬盘的传输速度也就得到了提高。硬盘转速以每分钟多少转来表示，单位表示为RPM，RPM是Revolutions Perminute的缩写，是转/每分钟。RPM值越大，内部传输率就越快，访问时间就越短，硬盘的整体性能也就越好。

　　硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带到磁头下方，转速越快，则等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的速度。

　　家用的普通硬盘的转速一般有5400rpm、7200rpm几种，高转速硬盘也是现在台式机用户的首选；而对于笔记本用户则是4200rpm、5400rpm为主，虽然已经有公司发布了7200rpm的笔记本硬盘，但在市场中还较为少见；服务器用户对硬盘性能要求最高，服务器中使用的SCSI硬盘转速基本都采用10000rpm，甚至还有15000rpm的，性能要超出家用产品很多。

　　较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写时间，但随着硬盘转速的不断提高也带来了温度升高、电机主轴磨损加大、工作噪音增大等负面影响。笔记本硬盘转速低于台式机硬盘，一定程度上是受到这个因素的影响。笔记本内部空间狭小，笔记本硬盘的尺寸（2.5寸）也被设计的比台式机硬盘（3.5寸）小，转速提高造成的温度上升，对笔记本本身的散热性能提出了更高的要求；噪音变大，又必须采取必要的降噪措施，这些都对笔记本硬盘制造技术提出了更多的要求。同时转速的提高，而其它的维持不变，则意味着电机的功耗将增大，单位时间内消耗的电就越多，电池的工作时间缩短，这样笔记本的便携性就收到影响。所以笔记本硬盘一般都采用相对较低转速的4200rpm硬盘。

　　转速是随着硬盘电机的提高而改变的，现在液态轴承马达（Fluid dynamic bearing motors）已全面代替了传统的滚珠轴承马达。液态轴承马达通常是应用于精密机械工业上，它使用的是黏膜液油轴承，以油膜代替滚珠。这样可以避免金属面的直接磨擦，将噪声及温度被减至最低；同时油膜可有效吸收震动，使抗震能力得到提高；更可减少磨损，提高寿命。

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　六：通过硬盘编号看硬盘信息

　　下面列出几款常见硬盘的实例编号定义。

　　硬盘编号格式：

　　MHT2040AH

　　MH： 前缀名

　　T： 系列编号

　　2： 2.5英寸

　　040：容量（GB）

　　A： ATA，若为B则为SATA

　　H： 5400转，若为T则为4200转

　　东芝硬盘编号格式：

　　MK1233GAS

　　MK： 前缀名

　　12： 容量，120GB

　　33G： 不知

　　A： 接口为ATA，S为SATA接口

　　S： 转速和缓存，S表示4200转，X的话那就是5400转加16M缓存

　　三星硬盘编号格式：

　　MP0804H

　　MP： 前缀，也和接口有关系（MP开头的为ATA，HM开头的为SATA）

　　080：容量（GB）

　　4： 好象是单碟容量为40GB（请原谅我好象一下吧。。-_-　　　)

　　H： 接口类型.ATA为H，SATA为I

　　硬盘编号格式：：

　　WD800VE

　　WD：Western Digital西部数据

　　800：容量,少看个0就对了,80GB

　　V： 缓存。V为8M，U为2M

　　E： 不知道

　　日立硬盘编号格式：

　　HTE726060M9AT00

　　H： 日立。

　　T： Travel Star

　　E： 用途。E代表服务器，S代表PC，C代表1.8英寸

　　72：转速，72当然就是7200转了。

　　60：本系列产品最大容量，60表示60GB，100G以上的10表示100，12表示120。。。

　　60：本硬盘容量（GB）

　　M：

　　9： 厚度，单位mm，略去小数点后尾数。

　　AT：接口形式。AT=ATA，SA=SATA，CE=ZIF

　　00：保留位

　　IBM硬盘编号格式

　　IC25N080ATMR04-0

　　IC： IBM

　　25： 2.5英寸

　　N： 硬盘厚度，N代表9.5mm，T代表12.5mm

　　080：本块硬盘容量（GB）

　　AT： 接口，ATA

　　MR： 系列编号，MR=80GN，CS=40GN/40GNX/60GH，DA=30GN

　　04： 4200转，若05则为5400转

　　其中后缀：（GN：4200转，9.5mm）（GNX，5400转，9.5mm）

　　DK23FB-60

　　DK23：系列名称

　　F： F表示第6代，A-E依此类推

　　B： 5400转，A的话代表4200转

　　60： 本块硬盘容量（GB）

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　[四]

　　

　　内存是必不可少的啦。参数也不是很多。不用怕。不会头疼的

　　

　　一：DDR2与DDR

　　DDR2与DDR的区别

　　与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

　　DDR2与DDR的区别示意图

　　与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。

　　然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。

　　DDR2的定义：

　　DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

　　此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

　　DDR2与DDR的区别：

　　在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

　　1、延迟问题：

　　从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

　　这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

　　2、封装和发热量：

　　DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。

　　DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

　　DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

　　DDR2采用的新技术：

　　除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。

　　OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

　　ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

　　Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

　　总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善

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好，得到了知识。
希望能拿出更多的来分享

谁与争锋

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