消息称，长江存储将挑战232层3D NAND，并于2022年底量产。
作为后起之秀，长江存储是2017年推出首款3D NAND闪存，2019年推出自主创新的Xtacking 1.0架构，并实现了64层 TCL 3D NAND闪存量产，2020年成功研发128层3D NAND闪存。
原本长江存储在128层3D NAND技术之后，是跨入192层技术，之前已有消息称192层3D NAND样品已送给客户验证，待生产良率稳定后，预期可望在2022下半年或者2023年初面世。
如今翻倍挑战232层3D NAND，让业内人士惊讶，而长江存储之所以要向200层以上发展，主要是三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士等闪存芯片领头大厂已进入2XX层技术阶段。
若长江存储不抓紧脚步跟上，将很难在国际市场上有所突破。据悉，上个月，美光已宣称业界首个232层堆叠的3D NAND，容量达1Tb（128GB），计划2022年底开始量产，新SSD将2023年问世。
三星、西数、铠侠也计划在2年内跨入2XX层3D NAND技术阶段。作为NAND Flash市场龙头企业，三星计划于2022年底或2023年初推出200层以上NAND闪存，并于2023年上半年开始量产；SK海力士3D NAND闪存堆叠层数将于2025年达到500层，于2030年达到800层以上。
西数与铠侠计划是在2024年之前推出200层以上（BiCS+）的闪存芯片，200层以上BiCS+每个晶圆的位元将增加55%，传输速度提高60%，写入速度提高15%，还将在2032年之前还将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上3D NAND技术。
长江存储目前在NAND Flash市场上的份额仅个位数，但长江存储自存储器二期项目已在2020年开工，项目规划每月生产20万片3D NAND芯片，达产后与一期项目合计月产能将达30万片，预计长江存储2023年底市占率可望提升至5%以上。
若长江存储在3D NAND技术上有所突破性的进展，那么与国际原厂之间的差距将会进一步缩小。
https://new.qq.com/omn/20220614/20220614A09B2W00.html
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发表于 2022-6-15 20:22:20
