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[数码硬件] 国产重大突破!寒序科技实现亚洲首个8nm eMRAM AI芯片流片

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anyangmo
发表于 2026-5-8 09:38:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 anyangmo 于 2026-5-8 09:40 编辑

国产重大突破!寒序科技实现亚洲首个8nm eMRAM AI芯片流片

快科技5月8日消息,据媒体报道,国产AI芯片企业寒序科技(ICY Tech)宣布,联合三星生态设计伙伴SEMIFIVE,基于三星8nm eMRAM工艺成功完成边缘AI芯片流片。

这是亚洲首个8nm嵌入式MRAM(eMRAM)商业化部署案例,由寒序科技主导底层核心技术研发,标志着国产AI芯片在先进存储与存算架构领域实现重大突破。

作为项目的核心技术提供方,寒序科技凭借在MRAM定制开发与存算架构方面的深厚积累,成功进入三星稀缺的8nm eMRAM工艺窗口。

与常规ASIC项目不同,寒序全程主导了MRAM比特单元、外围电路、高带宽读出电路以及大模型推理算子加速等底层方案设计;SEMIFIVE则负责后端硅实现与MPW流片支持。

双方形成了“底层架构自研+国际生态落地”的独特合作模式,彻底摆脱了标准IP调用的局限。

在技术层面,寒序科技创新性地采用了“MRAM+SRAM”混合存储架构,直击传统AI芯片面临的“内存墙”痛点。

该方案用eMRAM替代大规模片上SRAM,有效解决了工艺微缩后SRAM面积效率低、功耗高的问题;同时结合近内存处理(PNM)架构与GEMV计算,加速Transformer推理中的关键算子。

该芯片可支持20亿参数大模型的端侧运行,性能对标国际顶尖推理芯片路线,并在存储密度与能效比上实现超越。

该芯片主要聚焦私有AI Agent、人形机器人等端侧场景,同时可适配具身智能与云端推理中心,作为GPU/HBM体系之外的高能效推理加速模块。

eMRAM兼具非易失、高带宽、低功耗等特性,无需刷新即可长期保存数据,单元尺寸远小于SRAM,特别适用于功耗与空间受限的边缘设备,为国产端侧AI应用提供了核心算力支撑。

此次流片成功,是寒序科技依托北京大学物理学院应用磁学中心的技术积淀,在自旋电子学与存算一体领域取得的重要成果。






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