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[数码硬件] 华为新封装技术打造122TB SSD:规避3D NAND芯片制裁

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anyangmo
发表于 2026-5-24 13:19:00 | 显示全部楼层 |阅读模式
华为新封装技术打造122TB SSD:规避3D NAND芯片制裁

快科技5月24日消息,面对技术封锁,华为通过板级封装创新实现存储领域突破。

据国际存储行业权威媒体Blocks&Files率先报道,近日在巴黎华为IDI Forum 2026活动上,华为展示了基于自研Die-on-Board(板上裸片封装,简称DoB)封装技术的大容量SSD系列,目前已量产61.44TB和122.88TB两款产品,245TB版本也在规划中,为AI数据中心和海量存储场景提供国产化方案。

由于被列入美国实体清单,华为无法获取采用美国技术生产的最新3D NAND芯片,在原有库存耗尽后,只能使用长江存储等中国本土厂商生产的NAND闪存。如果继续沿用行业通用的传统封装方案,其SSD产品在容量上会明显落后于主流厂商的同类产品。

正是在这样的背景下,华为选择绕开3D NAND层数竞赛,转而在板级封装领域进行底层创新,通过将NAND裸片直接堆叠在PCB板上的方式,实现了比传统NAND封装更高的容量密度,同时通过更紧密的芯片集成降低了生产成本。

DoB板上裸片封装是华为自研的晶圆级组装技术,其核心逻辑与行业通用的传统SSD封装存在本质区别。

三星、铠侠、美光等主流厂商均采用先封装后焊接的传统模式,即先将NAND闪存裸片放入TSOP(薄型小尺寸封装)或BGA(球栅阵列封装)的标准封装体内进行多芯片堆叠,制成独立的成品芯片后,再通过引脚或焊球焊接到SSD的PCB主板上。

其中TSOP是早期主流封装,引脚分布在芯片两侧。BGA则是当前通用方案,将引脚改为底部焊球,能容纳更多堆叠层,但两者都受限于封装体的固定物理尺寸,传统工艺最多只能实现16层裸片堆叠。

而板上裸片封装彻底跳过了NAND芯片的独立封装环节,直接将未经封装的NAND裸片焊接在SSD的PCB基板上。Blocks&Files指出,这种设计让华为能够在不依赖高堆叠层数3D NAND芯片的情况下,将单位空间内的容量密度提升了33%,同时突破了传统TSOP/BGA封装的16层堆叠物理限制,最高可实现36层裸片堆叠。

当然,这种封装方式也带来了散热管理和信号完整性两大行业难题,华为研发团队经过专项技术攻关,最终实现了该技术的规模化商用。

目前,这项自研技术已全面应用于华为企业级存储产品线。本次展会展示的OceanDisk 1800智能盘柜在2U空间内可提供1.47PB容量,OceanDisk 1610则能在相同空间内容纳36块61.44TB SSD,总容量达2.2PB。

事实上,早在去年8月,华为就已发布搭载板上裸片封装技术的Ocean StorPacific 9926全闪分布式存储,该产品2U机箱可容纳36块122.88TB NVMeSSD,提供4.42PB原始容量,经2.5:1压缩后有效容量达11PB。

对比来看,戴尔同规格2U机箱采用40块铠侠LC9 QLC NVMe 245.88TB SSD,可提供10PB原始容量,华为虽在单盘容量上仍有差距,但已大幅缩小与国际厂商的距离。

业内分析认为,板上裸片封装技术为国产存储开辟了一条绕开3D NAND层数限制的新路径,也为全球存储产业的技术演进提供了新方向。







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