三星电子业内率先出样 HBM4E 内存

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三星电子业内率先出样 HBM4E 内存

IT之家 5 月 29 日消息，三星电子 (Samsung Electronics) 韩国当地时间今日宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 (12Hi) HBM4E 样品。

三星的 HBM4E 可提供稳定的 14Gbps 引脚传输速度并能扩展至 16Gbps，相较 HBM4 再度提升 20%。其每个堆栈的内存带宽高达 3.6 TB/s，有助于最大限度地提高 LLM 和下一代 AI 系统的计算性能。

与其 HBM4 一样，三星 HBM4E 结合了 1c nm DRAM 裸晶和 4nm 逻辑裸晶。而新的 HBM4E 通过先进的低功耗设计技术和优化的封装结构实现了 16% 的能效提升和 14% 的热阻特性改进。

三星电子的 12Hi HBM4E 单堆栈容量为 48GB，该企业计划根据客户需求后续补充 8Hi 32GB、16Hi 64GB 的配置。在完成初步样品交付和优化后，三星计划根据客户的进度安排开始批量生产 HBM4E。

原文地址：https://www.ithome.com/0/956/851.htm