Access Time
Access Time (存取时间)，RAM 完成一次数据存取所用的平均时间 (以纳秒为单位)。存取时间等于地址设置时间加延迟时间 (初始化数据请求的时间和访问准备时间)。
Address
Address (地址)，就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据
Async SRAM
Async SRAM (异步静态内存)，一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。
Bandwidth
Bandwidth (带宽)
1、传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位 / 秒、字节/秒或赫兹 (周/秒)表示。
2、内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到 64位
Bank
Bank (内存库) 在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。
1、在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。(等同于"行"/Row),
2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。(现在通常是4个bank)。
3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位 (也叫内存库)，它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。
Bank Schema
Bank Schema (存储体规划)，一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。
BEDO
BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器，BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。 其原理和性能与SDRAM差不多，因为Intel的芯片组支持SDRAM 。
BGA封装技术
BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术，高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术，材料多为陶瓷。
mBGA
mBGA (Micro Ball Grid Array,微型球栅阵列)封装
BLP
BLP－底部引出塑封技术，新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。
Buffer
Buffer－缓冲区，一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的操作进程不发生间断。
Buffered Memory
Buffered Memory，带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。
CAS
CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲，在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。
CAS Latency
列地址选通脉冲时间延迟，CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。
CF卡
compact flash card (一种袖珍闪存卡)。像pc卡那样插入数码相机，它可用适配器 (又称转接卡)，使之适应标准的pc卡阅读器或其他的pc卡设备。
CF存储卡的部分结构采用强化玻璃及金属外壳，cf存储卡采用standard ata/ide接口界面，配备有专门的pcm-cia适配器 (转接卡)，笔记本电脑的用户可直接在pcmcia插槽上使用，使数据很容易在数码相机与电脑之间传递。
Checksum
Checksum－检验和，校验和。在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。
Compact Flash
Compact Flash (紧凑式闪存)，一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。
C-RIMM
Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组，一种不带内存芯片的直接总线式内存模组 (Direct Rambus)。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。
CSP
Chip-Scale Package (芯片级封装)，薄芯片封装，其电路连接通常是采用BGA (球状引脚格状阵列)。这种封装形式一般用于RDRAM (总线式动态内存)和 flash memory (闪存)。
CSRAM
同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。
DDP电路
DDP (Double Detect and Protect:二重探测与保护)，它可以使Space对输入的信号不再重复处理，同时对声音的频率和方向进行探测，而且自动调整，得到最佳的效果。
DDR
DDR (Dual Data Rate SDRSM)是最新的内存标准之一，在系统时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输，因此即使在133MHz的总线频率下，带宽也能达到约2.1GB/S，为SDRAM的的两倍左右。
DDR SDRAM
DDR 是双倍数据速率 (Double Data Rate)。从名称上可以看出，这种内存在技术上，与SDRAM有着密不可分的关系，事实上，DDR内存就是SDRAM内存的加强版。它主要是利用时钟脉冲的上升沿与下降沿传输数据，相当于原来两倍的频率的工作效率。 DDR只是对SDRAM技术做了一些加强，所以生产SDRAM的生产线极容易改建于DDR的生产。不过DDR内存为保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此采用了2.5伏的SSTL2标准，其管脚数为184线，与SDRAM在主板上无法实现兼容。 DDR SDRAM有着先天性的优势，因此，取代SDRAM只是时间上的问题，相信随着DDR内存体系的愈加成熟，与SDRAM体系结构间的性能会越拉越大，那时也正是DDR全面铺进千家万户的时刻。
DDR内存
DDR (Dual date rate) SDRAM 称为"双倍速率SDRAM"，在133MHz的前端总线频率下，带宽可达2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输 (而SDRAM只在控制时钟的下降沿进行数据传输)，因此在一次控制信号过程中，DDR SDRAM能进行两次的数据交换，这也就是它为什么又如此高的带宽。
DIMM
Dual -Inline-Menory-Modules，即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条，DIMM提供了64位的数据通道，因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚，故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些，并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言，适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V (使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外)，适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V (使用EDORAM或FBRAM内存芯片)，二者不能混合使用。
DIMM
DIMM (Dual In-line Memory Modules)，双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片，这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中，通常为84 针，由于是双边的，所以共有84×2=168线接触，所以人们常把这种内存称为168线内存。
DIP
DIP (Dual In-line Package)-双列直插式封装，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP (Shrink DIP，紧缩双入线封装)，它比DIP的针脚密度要高6六倍。
Direct Rambus
Direct Rambus－直接总线式随机存储器，Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz。
Direct RDRAM
Direct RDRAM(直接总线式动态随机存储器)，该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。它采用一个分离的8位总线 (用于地址和控制信号)，并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针 (pin)800Mbps的情况下 (共计1.6 GBS)使可用数据带宽最大化。
DMA
DMA (Direct Memory Address)，直接存储器存取，是一种快速传送数据的机制，DMA技术的重要性在于，利用它进行数据存取时不需要CPU进行干预，可提高系统执行应用程序的效率。利用DMA传送数据的另一个好处是，数据直接在源地址和目的地址之间传送，不需要是中间媒介。
DRAM
动态内存。该内存中的内容在系统掉电时会完全丢失。DRAM中主要包含路由表，ARP缓存，fast-switch缓存，数据包缓存等。DRAM中也包含有正在执行的路由器配置文件。
DRAM
DRAM (Dynamic RAM)，动态随机存储器。需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失。其接口多为72线的SIMM类型。虽然它的刷新频率每秒钟可达几百次，但是由于它采用同一电路来存取数据，所以存取时间有一定的间隔，导致了它的存取速度不是很快。在386、486时期被普遍应用。
ECC
ECC (Error Correcting Code)－错误更正码，纠错码。ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。ECC另有一种解释是Error Checking
ECC内存
全称Error Checkin gand Correcting。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据，则需1位用于Parity检验，5位用于ECC，这额外的5位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍，Parity也增加一倍，而ECC只需增加一位，当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同(都为。在那些Parity只能检测到错误的地方，ECC可以纠正绝大多数错误。若工作正常时，你不会发觉你的数据出过错，只有经过内存的纠错后，计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低，不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的，ECC内存的价格比普通内存要昂贵许多。
EDO DRAM
EDO DRAM (Extended Data Output RAM)，扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM 和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后，然后才能读写有效的数据，而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成，只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址，由此缩短了存取时间，效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比，因为它的存取速度比FPM DRAM快15%，而价格才高出5%。
EDORAM
扩展数据输出内存。EDORAM是通过取消两个存储周期之间的时间间隔，来提高存取速率的。通常，在一个DRAM阵列中读取一个单元时，首先充电选择一行然后再充电选择一列，这些充电线路在稳定之前会有一定的延时，制约了RAM的读写速度。EDO技术假定下一个要读写的地址和当前的地址是连续的 (一般是这样)，在当前的读写周期中启动下一个读写周期，从而可将RAM速度提高约30%。但是，EDORAM仅适用于总线速度小于或等于66MHz的情况，是97 年最为流行的内存。
EPROM
EPROM (Erasable Programmable ROM,可擦式只读存储器)类型的ROM BIOS 芯片中间有一个圆洞，可有紫外线照射来擦除里面的BIOS代码，然后重新烧录BIOS代码．
EEPROM
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,可电擦式程序只读存储器)类型的ROM BIOS芯片内的数据可以用电压来擦除,,然后,重新烧录BIOS代码,是目前系统BIOS的主流 (俗称Flash BIOS).
ESDRAM
ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存，Enhanced Memory Systems， Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了SRAM (静态随机存储器)，其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。
FLASH内存
FLASH是一种可擦写、可编程的ROM，FLASH包含IOS及微代码。可以把它想象和PC机的硬盘功能一样，但其速度快得多。可以通过写入新版本和OS对路由器进行软件升级。FLASH中的程序，在系统掉电时不会丢失。
RDRAM
RDRAM（Rambus DRAM）是Rambus公司研制的一种独特的接口技术，是代替页面方式结构的一种新型动态抟写存储器。这种接口在处理机与ＤＲＡＭ之间使用了一种特殊的９位低压负载发送线，用250ＭHz同步时钟工作。。。
RDRAM内存将RISC （reduced instruction set computer）引入其中。
SLDRAM
SLDRAM （Synchronous Link DRAM）－同步链接动态内存，它可以在较少的金属引脚（64线）、较低的电压下，提供比SDRAM更高的数据宽度。它可以提供多个独立的内存库(BANK) ，以小规模的管道式突发读取，所以速度很快，多用于高速显卡中。该技术采用了数据包协议，把SDRAM原来的4个bank增加到16个bank。这种技术曾经是替代Direct Rambus的一种突破，但今天已经被DDR II技术所淘汰。
SOJ
SOJ (Small Out-Line J-Lead,小尺寸J型31脚)封装
Tiny-BGA
Tiny-BGA (Tiny Ball Grid Array,小型球栅阵列)封装
TSOP
TSOP (Thin Small Out-Line Package,薄型小尺寸封装)
ZIP
ZIP (Zig-zag In-Line Pakage,单列直插式封装)称为SIMM,意即单列直插式存储器模块。这类内存要成对安装才能使用.SIMM是486及较早的PC机中常用的内存接口方式。在更早的PC机中 (486以前),多采用30针的SIMM接口,而在Pentium中,应用更多的则是72针的SIMM接口。这种接口类型现在已经很少使用了。 |
发表于 2009-2-12 21:55:11
