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内存基础知识(转)

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睡醒了
发表于 2007-4-29 11:13:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
内存是主板上重要的部件之一,它是存储CPU与外围设备沟通的数据与程序的部件。在主机中,内存所存储 的数据或程序有些是永久的,有些是暂时的,所以内存就有不同形式的功能与作用,而且存储数据的多少也关系着内存的容量大小,传送数据的快慢也关系着内存的 速度,这些都跟内存的种类与功能有关。
           支持内存类型是指主板所支持的具体内存类型。不同的主板所支持的内存类型是不相同的。内存类型主要有FPM,EDO,SDRAM,RDRAM已经DDR DRAM等。

   ECC并不是内存类型,ECC(Error Correction Coding或Error Checking and Correcting)是一种具有自动纠错功能的内存,英特尔的82430HX芯片组就开始支持它,使用该芯片组的主板都可以安装使用ECC内存,但由于 ECC内存成本比较高,所以主要应用在要求系统运算可靠性比较高的商业电脑中,例如服务器/工作站等等。由于实际上存储器出错的情况不会经常发生,而且普 通的主板也并不支持ECC内存,所以一般的家用与办公电脑也不必采用ECC内存。

  一般情况下,一块主板只支持一种内存类型,但也有例外。有些主板具有两种内存插槽,可以使用两种内存,例如以前有些主板能使用EDO和SDRAM,现在有些主板能使用SDRAM和DDR SDRAM。

       采用两种类型的内存插槽(蓝色和黑色)区分。值得注意的是,在这些主板上不能同时使用两种内存,而只能使用其中的一种,这是因为其电气规范和工作电压是不同的,混用会引起内存损坏和主板损坏的问题。


  1、FPM内存

  FPM是Fast Page Mode(快页模式)的简称,是较早的PC机普遍使用的内存,它每隔3个时钟脉冲周期传送一次数据。现在早就被淘汰掉了。


  2、EDO内存

   EDO是Extended Data Out(扩展数据输出)的简称,它取消了主板与内存两个存储周期之间的时间间隔,每隔2个时钟脉冲周期传输一次数据,大大地缩短了存取时间,使存取速度提 高30%,达到60ns。EDO内存主要用于72线的SIMM内存条,以及采用EDO内存芯片的PCI显示卡。这种内存流行在486以及早期的奔腾计算机 系统中,它有72线和168线之分,采用5V工作电压,带宽32 bit,必须两条或四条成对使用,可用于英特尔430FX/430VX甚至430TX芯片组主板上。目前也已经被淘汰,只能在某些老爷机上见到。


  3、SDRAM内存

   SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory(同步动态随机存储器)的简称,是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压,带宽64位,SDRAM将CPU与RAM通过 一个相同的时钟锁在一起,使RAM和CPU能够共享一个时钟周期,以相同的速度同步工作,与 EDO内存相比速度能提高50%。SDRAM基于双存储体结构,内含两个交错的存储阵列,当CPU从一个存储体或阵列访问数据时,另一个就已为读写数据做 好了准备,通过这两个存储阵列的紧密切换,读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存,在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是 长时间使用的主流内存,从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及,SDRAM也正在慢慢退出主流市场。


  4、RDRAM内存

   RDRAM是Rambus Dynamic Random Access Memory(存储器总线式动态随机存储器)的简称,是Rambus公司开发的具有系统带宽、芯片到芯片接口设计的内存,它能在很高的频率范围下通过一个 简单的总线传输数据,同时使用低电压信号,在高速同步时钟脉冲的两边沿传输数据。最开始支持RDRAM的是英特尔820芯片组,后来又有840,850芯 片组等等。RDRAM最初得到了英特尔的大力支持,但由于其高昂的价格以及Rambus公司的专利许可限制,一直未能成为市场主流,其地位被相对廉价而性 能同样出色的DDR SDRAM迅速取代,市场份额很小。  


  5、DDR SDRAM内存

   DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory(双数据率同步动态随机存储器)的简称,是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品,采用2.5v工作电压,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据,这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高 SDRAM的速度,并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽,例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比,工作频率同样是133MHz,但内存带宽达到了2.12 GB/s,比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM,是目前最常用的内存类型。


  6、DDR2内存

  DDR2的定义:

   DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟 的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存 每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。

  此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存 均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存 的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双 通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度;随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线 对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存已经大行其道。DDR3也将随着技术进步而走进我们。

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睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 11:14:49 | 显示全部楼层
DDR2与DDR的区别:

  在了解DDR2内存诸多新技术前,先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。



  1、延迟问题:

   从上表可以看出,在同等核心频率下,DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句 话说,虽然DDR2和DDR一样,都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。 也就是说,在同样100MHz的工作频率下,DDR的实际频率为200MHz,而DDR2则可以达到400MHz。

  这样也就出现了另 一个问题:在同等工作频率的DDR和DDR2内存中,后者的内存延时要慢于前者。举例来说,DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟,而后者具有高一倍的带宽。实际上,DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽,它们都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作频率是200MHz,而DDR2-400的核心工作频率是100MHz,也就 是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

  2、封装和发热量:

  DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力,而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下,DDR2可以获得更快的频率提升,突破标准DDR的400MHZ限制。

   DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式,这种封装形式可以很好的工作在200MHz上,当频率更高时,它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容,这 会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的 TSOP封装形式,FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。

  DDR2内存采用1.8V电压,相对于DDR标准的2.5V,降低了不少,从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量,这一点的变化是意义重大的。

  DDR2采用的新技术:

  除了以上所说的区别外,DDR2还引入了三项新的技术,它们是OCD、ODT和Post CAS。

   OCD(Off-Chip Driver):也就是所谓的离线驱动调整,DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性;通 过控制电压来提高信号品质。

  ODT:ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上,不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的, 终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。 因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组,还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信 号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本,还得到了最佳的信号品质,这是DDR不能比拟的。

  Post CAS:它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中,CAS信号(读写/命令)能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期,CAS命令可以在附加延迟(Additive Latency)后面保持有效。原来的tRCD(RAS到CAS和延迟)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期,因此ACT和CAS信号永远也不会 产生碰撞冲突。

  总的来说,DDR2采用了诸多的新技术,改善了DDR的诸多不足,虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足,但相信随着技术的不断提高和完善,这些问题终将得到解决。

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睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:06:34 | 显示全部楼层
1.DDR、DDRⅡ技术
DDR技术
DDR SDRAM是双倍数据速率(Double Data Rate)SDRAM的缩写。从名称上可以看出,这种内存在技术上,与SDRAM有着密不可分的关系。事实上,DDR内存就是SDRAM内存的加强版。 DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行,又保持与CPU完全同步;DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自 不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,理论上使用原来的工作 的频率可以产生2倍的带宽。同速率的DDR内存与SDR内存相比,性能要超出一倍,可以简单理解为133MHZ DDR=266MHZ SDR。从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而 不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。但是DDR存在自身的局限性—DDR只是在SDRAM基础上作简单改良,并行技术与生俱来的易受干扰 特性并没有得到丝毫改善,尤其随着工作频率的提高和数据传输速度加快,总线间的信号干扰将造成系统不稳定的灾难性后果;反过来,信号干扰也制约着内存频率 的提升——当发展到DDR400规范时,芯片核心的工作频率达到200MHz,这个数字已经非常接近DDR的速度极限,只有那些品质优秀的颗粒才能够稳定 工作于200MHz之上,所以DDRⅡ标准就成了一种进一步提高内存速度的解决方法。
DDR Ⅱ技术
DDRⅡ相对于DDR有三大技术革 新,4位预取(DDR是2位)、Posted CAS、整合终结器(ODT)、FBGA/CSP封装。要解释预取的概念,我们必须从内存的频率说起。大家通常说的“内存频率”其实是一个笼统的说法,内 存频率实际上应细分为数据频率、时钟频率和DRAM核心频率三种。数据频率指的是内存模组与系统交换数据的频率;时钟频率则是指内存与系统协调一致的频 率;而DRAM核心频率指的是DRAM内部组件的工作频率,它只与内存自身有关而不受任何外部因素影响。对SDRAM来说,这三者在数字上是完全等同的, 也就是数据频率=时钟频率=核心频率;而DDR技术却不是如此,它要在一个时钟周期内传输两次数据,数据频率就等于时钟频率的两倍,但核心频率还是与时钟 频率相等。由于数据传输频率翻倍(传输的数据量也翻倍),而内部核心的频率并没有改变,这意味着DDR芯片核心必须在一个周期中供给双倍的数据量才行,实 现这一任务的就是所谓的两位预取(2bit Prefect)技术;DDRⅡ采用的4位预取。这项技术的原理是将DRAM存储矩阵的位宽增加一(两)倍,这样在一个时钟周期内就可以传输双(四)倍的 数据,这些数据接着被转化为宽度为1/2(1/4)的两道数据流、分别从每个时钟周期的上升沿和下降沿传送出去。Posted CAS:DDRⅡ通过引入“Posted CAS”功能来解决带宽利用变低的问题,所谓Posted CAS,指的是将CAS(读/写命令)提前几个周期、直接插到RAS信号后面的一个时钟周期,这样CAS命令可以在随后的几个周期内都能保持有效,但读/ 写操作并没有因此提前、总的延迟时间没有改变。这样做的好处在于可以彻底避免信号冲突、提高内存使用效率,但它只有在读写极其频繁的环境下得到体现,若是 普通应用,Posted CAS功能反而会增加读取延迟、令系统性能下降,因此我们可以根据需要、通过BIOS将Posted CAS功能开启或关闭(关闭状态下DDRⅡ的工作模式就与DDR完全相同)。 芯片整合终结器,提高了内存工作的稳定性,增强的内存的兼容性。FBGA 封装和CSP封装,封装虽然无法直接决定内存的性能,但它对内存的稳定工作至关重要。 FBGA封装是DDRⅡ的官方选择,FBGA属于BGA体系(Ball Grid Array,球栅阵列封装),前面已经讲过了。CSP封装最大的特点在于封装面积与芯片面积异常接近,两者比值仅有1.14:1,它也是目前最接近1:1 理想状况的芯片封装技术。这样在同样一条模组中就可以容纳下更多数量的内存芯片,有利于提升模组的总容量。

2.双通道内存控制器技术
所 谓双通道DDR,简单来说,就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依附于两个独立并行工作的,位宽为 64-bit的内存控制器下,因此使普通的DDR内存可以达到128-bit的位宽,如果是DDR333的话,双通道技术可以使其达到DDR667的效 果,内存带宽陡增一倍。双通道DDR有两个64bit内存控制器,双64bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽,但是二 者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器,两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。例如,当 控制器B准备进行下一次存取内存的时候,控制器 A就在读/写主内存,反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%,双通道技术使内存的带宽翻了一翻。双通道DDR的两个内 存控制器在功能上是完全一样的,并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用三条不同构造、容量、速度的DIMM内存 条,此时双通道DDR简单地调整到最低的密度来实现128bit带宽,允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。双通道DDR技术 带来的性能提升是明显的,DDR266能够提供2.1GB/s的带宽,而双通道DDR266则能提供4.2GB/s的带宽。以此类推,双通道DDR333 和DDR400能够达到5.4GB/s和6.4GB/s。
睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:06:59 | 显示全部楼层
3.CPU集成内存控制器技术
这是AMD公司提高CPU与内存性能的一 项技术,这项技术是一种将北桥的内存控制器集成到CPU的一种技术,这种技术的使用使得原来,CPU-北桥-内存三方传输数据的过程直接简化成CPU与内 存之间的单项传输技术,并且降低了它的延迟潜伏期,提高了内存工作效率。这么做得的目的是为了解放系统的北桥,众所周知,显卡也是通过北桥向CPU传输数 据的,虽然说早在GeForce256时代就有了GPU的说法,但是随着现在游戏的进步,画面的华丽,不少数据还是需要CPU来做辅助处理的。这些数据传 输到CPU必然要经过系统的北桥,由于AMD64系统将内存控制集成到主般中来了,所以压力减小的北桥便可以更好地为显卡服务。另外,缺少了中间环节,内 存和CPU之间的数据交换显得更为流畅。但是这项技术也有缺点,当新的内存技术出现时,必须要更换CPU才能支持。这在无形间增加了成本。

4.其他技术
A.ECC内存
全 称Error Checkingand Correcting。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据,则需1位用于Parity检验,5位用于ECC,这额外的5位是用来重建错误 的数据的。当数据的位数增加一倍,Parity也增加一倍,而ECC只需增加一位,当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同(都为。在那些 Parity只能检测到错误的地方,ECC可以纠正绝大多数错误。若工作正常时,你不会发觉你的数据出过错,只有经过内存的纠错后,计算机的操作指令才可 以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低,不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的,ECC内存的价格比普通内存要昂贵许多。

B.(Un)Buffered Memory 内存
(Un)Buffered Memory,(不)带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片,而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构,决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。

四、总结篇 Q&A
伴 随着整个PC工业的发展,内存的发展朝着速度更快,功耗更低,成本更低的方向发展,老一代DDR内存正在面临着更多新技术的挑战,不管是同门DDRⅡ、还 是Rambus的XDR,VIA的QBM都有一定竞争力。作为普通的本本用户,我们更关心的是技术成熟,产品性价比高的产品,由于本本内存的扩展相对于其 他硬件容易些,建议大家在资金允许的范围内最好还是增加内存容量。尤其是集成显卡的本本,还可考虑升级到双通道,提高显卡和系统整体的性能。

1.组成双通道有哪些条件。
首 先,组成双通道内存需要主板或CPU集成双通道内存控制器才可以,其次,需要两条内存插槽,我在前面讲过,一个DDR SDRAM插槽是64bit的,要组成128bit的双通道必须两条内存插槽才行。第三,需要强调的是对内存条的要求,Intel官方文档对组建双通道的 内存条有着严格的限制,必须是相同容量、相同结构(如单面、双面或内存颗粒的数量、每个颗粒的位宽等参数必须相同)和相同品牌(不同品牌内存的SPD信息 有可能不同)的内存才行。当然,这只是Intel为了保证双通道正常运行提出的要求。事事无绝对,也会存在一些其他的组合,大家如果有这方面的经验,可以 回帖交流。

2.笔记本怎样升级内存。
笔记本的内存的升级,原则上可以“韩信点兵,多多益善”。但是需要考虑几个方面的问题。
类型:由于DDR和DDRⅡ针脚定义不同,工作电压也不同,所以不能混插,否则会烧毁内存或内存插槽。
容量:尽量选择单条容量比较大的,如果不是组成双通道,尽量选择单条512MB以上的。
速度:首先要考虑芯片组的规格,尽量符合芯片组的最大要求购买,其次,保证两条内存的频率相同,如果原来的内存是DDR266的,买一条DDR333的内存只能在DDR266的频率上运行,发挥不了真实的性能。
结构:从理论上讲,无论是扩充性、稳定性还是兼容性,单面结构都比双面结构稍胜一筹。从发热量上考虑,单面内存比双面的要小。单、双面内存它们的本身没有好坏,区别也很小,同等容量的内存,单面比双面的集成度要高,生产日期要靠后,所以工作起来就更稳定。
PS:关于各芯片组内存控制器的规格,请看上一篇浅谈笔记本主流芯片组
关于内存升级的问题还可以参考版主帅鼠的帖笔记本内存升级!
睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:07:30 | 显示全部楼层
3.内存颗粒如何识别。
由于没有相对统一的标准,各个厂商的颗粒都不大相同,我给出几个常见的颗粒厂商的百度搜索结果,大家可以根据自己的需要查看。
Hynix(现代电子)
Samsung Electronics(三星电子)
Micro(美光)
Infineon(英飞凌)
Kingmax(胜创)
GEIL(金邦)
Mosel(台湾茂矽)
Nanya(南亚)
Apacer(宇瞻)
睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:08:02 | 显示全部楼层
3.内存颗粒如何识别。
由于没有相对统一的标准,各个厂商的颗粒都不大相同,我给出几个常见的颗粒厂商的百度搜索结果,大家可以根据自己的需要查看。
Hynix(现代电子)
Samsung Electronics(三星电子)
Micro(美光)
Infineon(英飞凌)
Kingmax(胜创)
GEIL(金邦)
Mosel(台湾茂矽)
Nanya(南亚)
Apacer(宇瞻)
睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:08:40 | 显示全部楼层
内存插槽
  最初的计算机系统通过单独的芯片安装内存,那时内存芯片都采用DIP(Dual ln-line Package,双列直插式封装)封装,DIP芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接,此时还没有正式的内存插槽。DIP芯片有个最大的问题 就在于安装起来很麻烦,而且随着时间的增加,由于系统温度的反复变化,它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭,芯片不断被加热和冷 却,慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好,产生内存错误。
  早期还有另外一种方法是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里,这样有效避免了DIP芯片偏离的问题,但无法再对内存容量进行扩展,而且如果一个芯片发生损坏,整个系统都将不能使用,只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板,此种方法付出的代价较大,也极为不方便。
  对于内存存储器,大多数现代的系统都已采用单列直插内存模块(Single Inline Memory Module,SIMM)或双列直插内存模块(Dual Inline Memory Module,DIMM)来替代单个内存芯片。早期的EDO和SDRAM内存,使用过SIMM和DIMM两种插槽,但从SDRAM开始,就以DIMM插槽 为主,而到了DDR和DDR2时代,SIMM插槽已经很少见了。下边具体的说一下几种常见的内存插槽。
  SIMM(Single Inline Memory Module,单内联内存模块)
  内存条通过金手指与主板连接,内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号,也可以提供相同的信 号。SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构,它多用于早期的FPM和EDD DRAM,最初一次只能传输8bif数据,后来逐渐发展出16bit、32bit的SIMM模组,其中8bit和16bitSIMM使用30pin接口, 32bit的则使用72pin接口。在内存发展进入SDRAM时代后,SIMM逐渐被DIMM技术取代。
    DIMM(Dual Inline Memory,双内联内存模块)
    DIMM与SIMM相当类似,不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的,它们各自独立传输信 号,因此可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用DIMM,SDRAM 的接口与DDR内存的接口也略有不同,SDRAM DIMM为168Pin DIMM结构,金手指每面为84Pin,金手指上有两个卡口,用来避免插入插槽时,错误将内存反向插入而导致烧毁;DDR DIMM则采用184Pin DIMM结构,金手指每面有92Pin,金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同,是二者最为明显的区别。
    为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求,SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也开发了出来,它的尺寸比标准的DIMM要小很多,而且引脚数也不相同。同样SO-DIMM也根据SDRAM和DDR内存规格不同而不同, SDRAM的SO-DIMM只有144pin引脚,而DDR的SO-DIMM拥有200pin引脚。
   RIMM
   RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型,RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多,金手指同样也是双面的。RIMM有也184 Pin的针脚,在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度,ECC版则都是18位宽。由于RDRAM内存较高的价格, 此类内存在DIY市场很少见到,RIMM接口也就难得一见了。
睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:09:04 | 显示全部楼层
金手指(connecting finger)是内存条上与内存插槽之间的连接部件,所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成,因其表面镀金而且导电触片 排列如手指状,所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金,因为金的抗氧化性极强,而且传导性也很强。不过因为金昂贵的价 格,目前较多的内存都采用镀锡来代替,从上个世纪90年代开始锡材料就开始普及,目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”几乎都是采用的锡材料,只有部分 高性能服务器/工作站的配件接触点才会继续采用镀金的做法,价格自然不菲。
  内存处理单元的所有数据流、电子流正是通过金手指与内存插槽的接触与PC系统进行交换,是内存的输出输入端口,因此其制作工艺对于内存连接显得相当重要。
根据内存条所应用的主机不同,内存产品也各自不同的特点。台式机内存是DIY 市场内最为普遍的内存,价格也相对便宜。笔记本内存则对尺寸、稳定性、散热性方面有一定的要求,价格要高于台式机内存。而应用于服务器的内存则对稳定性以 及内存纠错功能要求严格,同样稳定性也是着重强调的。
睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:09:31 | 显示全部楼层
Bank (内存库) 在内存行业里,Bank至少有三种意思,所以一定要注意。 1、在SDRAM内存模组上,"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。(等同于"行"/Row) 2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。(现在通常是4个bank)。 3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组,例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位(也叫内存库),它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK,电脑才可以正常开机。举 个例子,奔腾系列的主板上,1个168线槽为一个BANK,而2个72线槽才能构成一个BANK,所以72线内存必须成对上。原因是,168线内存的数据 宽度是64位,而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始,必须插满BANK0才能开机,BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存 用,称做内存扩充槽。
睡醒了
 楼主| 发表于 2007-4-29 12:10:12 | 显示全部楼层
内存的速度
   内存的存取速度关系着CPU对内存读写的时间,所以不同型号规格的内存就有不同的速度,如ROM就有27010-20,27010-15等不同的速度。 DRAM也有411000-7、411000-6等不同的速度,这些编号后面的20代表200ns,-15代表150ns,-7代表70ns,-6代表 60ns,所以RAM的速度比ROM的速度快很多。当电脑一启动时,把BIOS RoM中的程序拷贝至DRAM内,以后CPU直接与较快的DRAM联络即可,这就是我们所谓的ShadowRAM。
  内存有它不同的规格和速度,在不同电路、不同设备也有不同的单位,现将它的应用说明如下:
  ms, Milli Second(毫沙)
  us: Micro Second(微秒)
  ns: Nano Second (纳秒)
  数据的传送速度:
  以ms为单位,如硬盘的平均存取速度17ms、12ms等。
  以us为单位,如DRAM每隔15us更新充电一次。
  以ns为单位、如内存的存取速度:
  RAM: 41256-8,8即表示80ns。
  411000-7,7即表示70ns。
  411000-6,6即表示60ns。
  ROM: 27256-20, 20即表示200ns。
  27512-15,15即表示150ns。
内存条的一个重要性能指标是速度,以纳秒(ns)表示,代表系统给予内存在无错情况下作出反应的时间。一般有60ns70ns80ns 12Ons等儿种,相应在内存条上标有“-6”“-7””-8”“-12”等字样。这个数值越小,表示内存条速度越快。只有当内存与系统速度相匹配
时才能发挥最大效率。因为内存慢而主板快,影响到CPU的速度,还可能造成系统崩溃;内存快而主板慢,结果是大材小用,浪费了高性能的内存条。如果一个系
统要求内存的速度为80ns,那么装上60ns70ns的内存条在性能方面并没有什么益处,相反,如果系统要求内存的速率是60ns,那么如果装上 70ns80ns的内存条,可能会造成系统的崩溃。一般不同速度的内存条可混合使用,但以最慢的为准。
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