MemoryDiagnostics内存诊断工具

图钉鱼

最终测试需以MEMTEST86 引导加载测试为准。
这个工具运行在WIN系统受系统约束，可以检测到大部分的内存问题，但这不是最终结论，比如我也在MEMTEST86测到内存条有上万个错误，但实际上是两条内存老化了，降频运行即可稳定运行。如果我直接采信MEMTEST86按现在内存比肩黄金的价格，需要自掏3千大洋换普条内存。。。。。。

所以有了这个工具，这个工具多次检测均未发现内存和主板有信号和稳定性问题，那么结果已经指向主板内存点亮匹配的自动训练的时序过紧，可能导致偶发性蓝屏。解除XMP降频运行，偶发蓝屏问题彻底解决。





1. 简介
本工具是一款内存稳定性测试与信号质量分析软件，旨在帮助用户检测计算机内存是否存在硬件故障、信号干扰或稳定性问题,集成了AVX2信号完整性测试、Rowhammer攻击模拟等高级功能，能够发现深层次的硬件隐患。

2. 核心功能与原理

2.1 AVX2 信号完整性压力测试
   原理: 利用CPU的AVX2指令集进行高强度的并发计算与内存读写。通过特定的数据模式（如0x55/0xAA交替），在内存总线上制造最大的电压摆幅和电流噪声。
   作用: 检测内存供电系统是否稳定，以及内存颗粒在高负载下是否会出现数据翻转。
   包含模式:
       Power Virus (自动运行): 模拟极端的功耗场景，最大化CPU和内存的电流消耗，考验电源供应单元(PSU)和主板供电电路(VRM)的稳定性。
       Crosstalk (串扰): 写入相邻位相反的数据，检测数据线之间是否存在电磁干扰。
       Heavy Thrashing (重度翻转): 快速切换读写状态，考验内存控制器的总线转向能力。
       在配置中启用 EnableAVX2SignalStress，测试过程中会自动循环执行上述模式。

2.2 Rowhammer 压力测试
   原理: Rowhammer（行锤击）是一种攻击技术，通过快速、频繁地访问同一行内存，导致相邻行的电荷泄漏，从而引发位翻转。
   作用: 检测内存颗粒的物理隔离度。如果内存抗干扰能力差，可能会被恶意软件利用进行提权攻击。
   需要在配置中手动启用 EnableRowhammer。默认关闭，因为这是一种高强度的物理压力测试。

2.3 Stride/Bank 冲突扫描
   原理: 以特定的步长访问内存，试图命中同一个Bank（内存库）。频繁访问同一Bank的不同Row会导致Bank频繁预充电和激活，产生高延迟和高功耗。
   作用: 检测内存控制器的Bank调度逻辑是否稳定，以及在Bank冲突场景下是否存在时序违规。
   需要在配置中手动启用 EnableStrideScan。

2.4 信号干扰评分
   原理: 通过测量内存访问的延迟抖动。
   基准: 读取全0数据时的延迟稳定性。
   干扰: 读取高频翻转数据（0x55/0xAA）时的延迟稳定性。
   算法: 如果在干扰模式下，内存访问延迟出现剧烈波动（抖动），说明信号质量受到噪声影响，评分会降低。
   作用: 量化评估内存电气性能的优劣。评分越接近1.0越好，低于0.8建议检查内存散热或降频。

2.5 扫尾检测
内存测试通常以块（如4KB或64字节）为单位。扫尾检测专门针对最后剩余的、不足一个块的微小空间进行逐字节测试。确保内存的每一个字节都被覆盖，防止遗漏。

2.6 内存稳定性测试模式
   Random (随机模式): 使用梅森旋转算法生成高质量随机数，覆盖各种随机位翻转错误。
   Sequential (顺序模式): 填充递增序列，检测基本的寻址和存储功能。
   Walking 1/0 (走步模式): 逐位移动 1 或 0，专门检测数据线（Data Bus）是否存在短路、断路或信号串扰。
   Address Test (地址测试): 将物理地址本身写入内存单元，检测地址解码逻辑是否出错（例如访问地址 A 却读写了地址 B）。
   Bit Fade (位衰减): 写入数据后休眠一段时间再读取，检测电容保持电荷的能力（Refresh 刷新问题）。

2.7 大页内存 (Large Pages) 的重要性
   什么是大页?: 普通内存页大小为 4KB，而大页通常为 2MB 或 1GB。
   为什么要用?:
    1.  性能提升: 减少 CPU 的 TLB缓存未命中，显著提高内存访问效率，使测试压力更能直达内存颗粒，而非消耗在 CPU 寻址上。
    2.  物理连续性: 大页通常要求物理内存连续，且不可被交换。这意味着测试数据会一直驻留在物理内存中，不会被操作系统移动到硬盘上的虚拟内存中，保证了测试的真实性。
   如何开启: 工具会自动尝试申请大页。如果失败（通常是因为没有“锁定内存页”权限或内存碎片过多），会自动回退到普通页模式。
   注意事项: 使用大页内存时，Windows 任务管理器可能不会在“进程”标签页中正确显示该进程的内存占用（因为它不属于常规的分页内存池）。请查看“性能”->“内存”中的“使用中”总内存，或者相信工具内部显示的分配状态。

2.7.1 锁定内存页权限说明
   它解决什么问题?: 允许进程使用 MEM_LARGE_PAGES 分配大页，并提高内存驻留稳定性，减少因换页/系统干预导致的测试噪声。
   为什么授予后仍可能“没变”?: 该权限属于“用户权利分配”，对新登录会话生效；授予后需要注销/重启，当前进程的访问令牌不会立刻获得该权限。
   如何自动授予?: 手动模式菜单提供 6. 提权自动执行 - 为当前账号授予“锁定内存页”，会触发 UAC 提权并自动写入本地安全策略。

2.7.2 VirtualLock 失败的含义（常见误解）
   VirtualLock 失败通常意味着工作集(Working Set)配额不足或未提权，不等价于“内存坏了”。
   工具会在必要时降级为普通页/可换页内存继续执行，并在输出中给出提示，以便你按需优化环境（关闭占用大量内存的程序、重启后立即测试等）。

2.8 安全退出机制
   强行退出: 在测试过程中，如果需要立即停止，可以随时按下 Ctrl+C 组合键。
   安全机制: 工具捕获到退出信号后，不会立即“杀掉”进程，而是触发安全退出流程：
    1.  立即向所有测试线程发送停止指令。
    2.  等待当前正在进行的原子操作完成（防止数据损坏）。
    3.  尝试释放已锁定的物理内存（虽然操作系统最终会回收，但主动释放更安全）。
    4.  生成最终的测试简报。
   提示: 如果在收到退出信号后程序没有立即关闭，请耐心等待几秒钟，这是工具在进行必要的资源清理。

2.9 内存边界与系统稳定性 (关键！)
   内存占用: 操作系统、驱动程序和后台服务必须占用一部分物理内存才能运行。例如 16GB 的电脑，开机后可用内存可能只有 12GB。
   边界风险:
       不要测试 100% 内存: 如果强行分配超过可用物理内存的测试空间（例如在 16GB 电脑上测试 16GB），操作系统会被迫将核心数据移至硬盘（虚拟内存/Page File）。
       后果: 这会导致严重的系统卡顿，表现为鼠标卡顿、程序无响应、硬盘高占用，甚至导致系统彻底死机或蓝屏。
   最佳实践:
       工具会自动检测当前可用物理内存。
       建议测试大小设置为可用内存的 80% - 90%。例如可用 10GB，建议测试 8GB - 9GB。
       如何继续测试?: 如果需要测试全部内存，建议分多次测试（Windows 会动态分配物理地址），或使用专用的 DOS/UEFI 版专业内存工具（本工具仅运行在 Windows 环境下，受限于 OS 调度）。

2.10 AVX2 与 CPU 缓存 (CPU Cache)
   缓存问题: 现代 CPU 拥有巨大的 L3 缓存 (如 Intel Core 30MB+, AMD Ryzen 64MB+)。如果测试数据量小于缓存大小，数据只会反复读写缓存，而不会到达物理内存。
   AVX2 突破:
    1.  本工具的 AVX2 信号测试模式使用非临时存储指令 (Non-temporal Stores / Streaming Stores)。
    2.  这些指令（如_mm256_stream_si256）会通知 CPU 绕过缓存层级，直接将数据写入主内存 。
    3.  此外，工具会在每次迭代前执行缓存刷新 (Cache Flush) 操作，刷新缓冲区大小远大于普通消费级 CPU 的缓存上限，确保测试压力真实作用于内存条和内存控制器 (IMC)。

2.11 隐藏的故障点：电压与时序
   时序 (Timing): 内存的延迟参数（如 CL, tRCD, tRP）。
       问题: 如果用户在 BIOS 中开启了 XMP 但主板自动训练的时序过紧，可能导致偶发性蓝屏。
       检测: AVX2 高负载模式对时序非常敏感，能快速暴露边缘不稳定性。
   电压 (Voltage):
       问题: 混插不同品牌/型号的内存时，BIOS 可能取最高或最低电压，导致部分内存欠压不稳或过压发热。
       本工具功能: 启动时会自动扫描并对比所有插槽内存的SPD 预设电压和当前运行频率，如果发现不一致会给出警告。（仅华硕主板可以读取SPD，且SPD结构体变化大，目前仅支持DDR4时序手动计算）

2.12 推荐测试流程
1.  预扫描: 启动工具，观察控制台输出的“硬件兼容性预扫描”结果，检查是否有频率/电压不一致或插槽警告。
2.  AVX2 信号测试: 快速筛选严重的电气故障和供电问题（建议运行 5-10 分钟）。
3.  MemTest 稳定性测试:
       Random: 必测，覆盖率最高。
       Bit Fade: 选测，如果怀疑内存因为过热或老化导致“记不住”数据。
4.  Rowhammer: 选测，针对高安全需求环境。

2.13 预检机制与误报抑制（近期更新）
   工具会在正式测试前对目标内存区域执行“预检”：验证页保护/触页读写，尽量规避被系统限制/保护页面引入的干扰。
   正式的稳定性测试与性能分析会优先复用“预检通过”的内存缓冲区，减少重复分配与跨页保护差异带来的误报。
   预检针对偶发性异常加入了短暂重试，并在失败信息中包含更精确的地址信息，便于定位问题来源（系统/驱动/资源限制 vs. 硬件不稳定）。

2.14 手动模式的安全确认（近期更新）
   手动模式启动稳定性测试前会显示环境提示（关闭大内存占用程序、碎片化与重启关系、大页权限生效方式）。
   必须输入 Y 才会开始稳定性测试，避免误操作导致长时间占用系统资源。

2.15 Windows 安全与虚拟化机制对测试的影响（重要）
Windows 10+默认启用/可选启用多种安全与虚拟化相关能力（如 VBS/HVCI、Hyper-V、EDR/杀软内核回调等）。这些机制并不“阻止你写内存”，但可能改变内存分配、页面驻留与性能抖动特性，从而影响测试表现与误报概率。

   常见机制:
       VBS (Virtualization-based Security): 使用虚拟化隔离关键组件，可能带来额外开销与更高抖动。
       HVCI/内存完整性 (Memory Integrity): 代码完整性在 Hypervisor 下执行，可能影响性能测量与低层行为一致性。
       Hyper-V/WSL2/Docker/虚拟机平台: 启用系统级 Hypervisor，计时/调度/缓存行为可能与“裸机”略有差异。
       企业 EDR/杀毒实时防护: 可能引入扫描/钩子/监控导致的延迟尖峰与工作集压力。
   可能表现:
       MEM_LARGE_PAGES 分配失败更频繁（权限/碎片化/策略），工具会自动回退到普通页。
       VirtualLock更易失败（工作集配额/策略限制），这通常不代表硬件故障。
       性能带宽偏低、延迟抖动增大；极少数情况下可能出现“瞬态不一致/访问异常”噪声。
   工具如何处理:
       优先尝试大页与锁页；失败则降级回退并输出提示，不会因为单点失败直接终止全部流程。
       在正式测试前进行“预检”，对页保护与触页读写做校验；遇到偶发异常会短暂重试并记录到报告的 systemEvents。
       启动时输出 “Windows安全/虚拟化状态” 摘要提示，便于你解释性能波动与失败原因。
   当无法关闭/无法绕过时:
       在企业策略/安全基线环境中，上述特性可能无法关闭；此时建议更关注“稳定性是否报错/是否有一致性错误”，而不是把性能指标当作裸机基准。
       需要尽量提升稳定性时：关闭大内存占用程序、重启后尽快运行、以管理员运行并按需授予“锁定内存页”权限。



3. 常见问题
   Q: 为什么测试时电脑会变慢？
       A: 这是正常的。工具会占用大量CPU和内存带宽以施加最大压力。
   Q: 发现错误怎么办？
       A:
        1. 检查内存是否超频，尝试恢复默认频率（XMP关闭）。
        2. 检查内存散热片是否过热。
        3. 清洁内存金手指并重新插拔。
        4. 如果问题依旧，可能需要更换内存条。

        5.检查同频率下，不同内存条之间的内存电压，时序是否一致，不一致需要降频使用。
        6.极小概率是内存控制器或主板损坏。






SHA256：933F3E94CA02F18C076C13107D85B84693238385C6B4B60044755CF2585569FA

dhdcxh

好帖，介绍完整贴图完善地址有效。

kafan988

很实用的工具啊

淡淡忧伤

感谢分享，老电脑定期检测一下还是很有必要的，最起码做到心中有数，降频能坚持用一段时间，可以节省不必要的支出。

wowocock

[2025-12-23 13:57:14] 日志系统初始化成功
[2025-12-23 13:57:14] [信息] 控制台编码诊断: OutputCP=65001, InputCP=65001, Font=新宋体, Elevated=true
[2025-12-23 13:57:14] [信息] 内存诊断工具启动
[2025-12-23 13:57:14] [信息] Windows安全/虚拟化状态: 未检测到会显著干扰测试的特性 (RegErr=2)
[2025-12-23 13:57:25] [信息] 用户确认开始稳定性测试
[2025-12-23 13:57:27] [警告] 内存读写预检警告: 未能启用SeLockMemoryPrivilege(锁定内存页) WinErr=1300
[2025-12-23 13:57:28] [警告] 测试内存准备警告: 未能启用SeLockMemoryPrivilege(锁定内存页) WinErr=1300
[2025-12-23 13:57:30] [警告] 性能测试内存准备警告: 未能启用SeLockMemoryPrivilege(锁定内存页) WinErr=1300; 未能启用SeLockMemoryPrivilege(锁定内存页) WinErr=1300
[2025-12-23 13:57:34] [警告] 内存性能不正常: 读取 2644.803235 MB/s，写入 1122.056077 MB/s
[2025-12-23 13:57:34] [警告] 内存读取延迟过高: 177.000000 ns
[2025-12-23 13:57:34] [警告] 内存写入延迟过高: 168.000000 ns
[2025-12-23 13:57:37] [信息] 内存诊断工具结束
[2025-12-23 13:57:41] 日志系统关闭
我这是有问题还是没问题？

图钉鱼

wowocock 发表于 2025-12-23 14:26
[2025-12-23 13:57:14] 日志系统初始化成功
[2025-12-23 13:57:14] [信息] 控制台编码诊断: OutputCP=6500 ...

没有问题的，稳定性测试通过了，不通过日志会有对应记录。这个是在虚拟机测得吧，延迟和带宽都是偏低。的。

wowocock

图钉鱼 发表于 2025-12-23 16:06
没有问题的，稳定性测试通过了，不通过日志会有对应记录。这个是在虚拟机测得吧，延迟和带宽都是偏低。的 ...

真机测试的。

wowocock

图钉鱼 发表于 2025-12-23 16:06
没有问题的，稳定性测试通过了，不通过日志会有对应记录。这个是在虚拟机测得吧，延迟和带宽都是偏低。的 ...

HWiNFO? 64 Version 8.34-5870

DESKTOP-KTQB45Q -----------------------------------------------------------

[当前计算机]
[操作系统]

内存 ----------------------------------------------------------------------

[常规信息]
  内存总大小:                             16 GiB
  Total Memory Size [MB]:                 16384
[当前性能设置]
  支持的最大内存频率:                     1333.3 MHz
  当前内存频率:                           1196.5 MHz
  当前时序 (tCAS-tRCD-tRP-tRAS):          17-17-17-39
  支持的内存通道:                         2
  活动的内存通道:                         2
  命令率 (CR):                            2T
  Read to Read Delay (tRDRD_SG/TrdrdScL) Same Bank Group: 6T
  Read to Read Delay (tRDRD_DG/TrdrdScDlr) Different Bank Group: 4T
  Read to Read Delay (tRDRD_SD) Same DIMM: 6T
  Read to Read Delay (tRDRD_DD) Different DIMM: 7T
  Write to Write Delay (tWRWR_SG/TwrwrScL) Same Bank Group: 6T
  Write to Write Delay (tWRWR_DG/TwrwrScDlr) Different Bank Group: 4T
  Write to Write Delay (tWRWR_SD) Same DIMM: 7T
  Write to Write Delay (tWRWR_DD) Different DIMM: 7T
  Read to Write Delay (tRDWR_SG/TrdwrScL) Same Bank Group: 9T
  Read to Write Delay (tRDWR_DG/TrdwrScDlr) Different Bank Group: 9T
  Read to Write Delay (tRDWR_SD) Same DIMM: 9T
  Read to Write Delay (tRDWR_DD) Different DIMM: 10T
  Write to Read Delay (tWRRD_SG/TwrrdScL) Same Bank Group: 32T
  Write to Read Delay (tWRRD_DG/TwrrdScDlr) Different Bank Group: 26T
  Write to Read Delay (tWRRD_SD) Same DIMM: 7T
  Write to Read Delay (tWRRD_DD) Different DIMM: 7T
  Read to Precharge Delay (tRTP):         9T
  Write to Precharge Delay (tWTP):        30T
  Write Recovery Time (tWR):              19T
  RAS# to RAS# Delay (tRRD_L):            6T
  RAS# to RAS# Delay (tRRD_S):            18T
  Row Cycle Time (tRC):                   56T
  Refresh Cycle Time (tRFC):              421T
  Four Activate Window (tFAW):            26T

行: 1 [BANK 0/Controller0-ChannelA] - 8 GB PC4-25600 DDR4 SDRAM Kingston KF3200C16D4/8GX

[内存模块常规信息]
  内存模块编号:                           1
  内存模块容量:                           8 GiB
  内存类型:                               DDR4 SDRAM
  内存模块类型:                           Unbuffered DIMM (UDIMM)
  内存速度:                               1600.0 MHz (DDR4-3200 / PC4-25600)
  内存模块制造商:                         Kingston
  内存模块部件号:                         KF3200C16D4/8GX
  内存模块修订版:                         0.0
  内存模块序号:                           4050429783 (57A76CF1)
  内存模块生产日期:                       年: 2021, 周: 42
  内存模块产地:                           4
  SDRAM 制造商:                           SK Hynix
  DRAM 步进:                              4.4
  错误检查/纠正:                          无
[内存模块特征]
  行地址位:                               16
  列地址位:                               10
  内存模块密度:                           8192 Mb
  Rank 的数量:                            1
  Bank 组的数量:                          4
  设备位宽:                               8 bits
  总线位宽:                               64 bits
  Die Count:                              1
  内存模块标称电压 (VDD):                 1.2 V
  最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin):        0.83300 ns (1200 MHz)
  最大 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmax):        1.60000 ns
  支持的 CAS# 延迟:                       10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
  最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin):            13.750 ns
  最小 RAS# 到 CAS# 迟延 (tRCDmin):       13.750 ns
  Minimum Row Precharge Time (tRPmin):    13.750 ns
  Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 32.000 ns
  支持的内存模块时序 1200.0 MHz:          17-17-17-39
  支持的内存模块时序 1066.7 MHz:          15-15-15-35
  支持的内存模块时序 933.3 MHz:           13-13-13-30
  支持的内存模块时序 800.0 MHz:           11-11-11-26
  支持的内存模块时序 666.7 MHz:           10-10-10-22
  Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 45.750 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
  Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.300 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.900 ns
  Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.000 ns
[特征]
  内存模块温度传感器 (TSOD):              不支持
  内存模块标称高度:                       31 - 32 mm
  内存模块最大厚度 (正面):                1 - 2 mm
  内存模块最大厚度 (背面):                <= 1 mm
  Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
[英特尔极限内存配置文件 (XMP)]
  XMP Revision:                           2.0
[认证配置文件 [启用]]
  内存模块 VDD 电压等级:                  1.35 V
  最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin):        0.62500 ns (1600 MHz)
  支持的 CAS# 延迟:                       9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
  最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin):            10.000 ns
  最小 RAS# 到 CAS# 迟延 (tRCDmin):       11.250 ns
  Minimum Row Precharge Time (tRPmin):    11.250 ns
  Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 22.500 ns
  支持的内存模块时序 1600.0 MHz:          16-18-18-36
  支持的内存模块时序 1466.7 MHz:          15-17-17-33
  支持的内存模块时序 1333.3 MHz:          14-15-15-30
  支持的内存模块时序 1200.0 MHz:          12-14-14-27
  支持的内存模块时序 1066.7 MHz:          11-12-12-24
  支持的内存模块时序 933.3 MHz:           10-11-11-21
  Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 45.750 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
  Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 4.375 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.625 ns
[极限配置文件 [启用]]
  内存模块 VDD 电压等级:                  1.35 V
  最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin):        0.66600 ns (1500 MHz)
  支持的 CAS# 延迟:                       9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
  最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin):            9.990 ns
  最小 RAS# 到 CAS# 迟延 (tRCDmin):       11.322 ns
  Minimum Row Precharge Time (tRPmin):    11.322 ns
  Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 23.875 ns
  支持的内存模块时序 1500.0 MHz:          15-17-17-36
  支持的内存模块时序 1466.7 MHz:          15-17-17-35
  支持的内存模块时序 1333.3 MHz:          14-16-16-32
  支持的内存模块时序 1200.0 MHz:          12-14-14-29
  支持的内存模块时序 1066.7 MHz:          11-13-13-26
  支持的内存模块时序 933.3 MHz:           10-11-11-23
  Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 45.750 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
  Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 4.662 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.662 ns

行: 3 [BANK 1/Controller0-ChannelB] - 8 GB PC4-25600 DDR4 SDRAM Kingston KF3200C16D4/8GX

[内存模块常规信息]
  内存模块编号:                           3
  内存模块容量:                           8 GiB
  内存类型:                               DDR4 SDRAM
  内存模块类型:                           Unbuffered DIMM (UDIMM)
  内存速度:                               1600.0 MHz (DDR4-3200 / PC4-25600)
  内存模块制造商:                         Kingston
  内存模块部件号:                         KF3200C16D4/8GX
  内存模块修订版:                         0.0
  内存模块序号:                           3597494270 (FE676DD6)
  内存模块生产日期:                       年: 2021, 周: 42
  内存模块产地:                           4
  SDRAM 制造商:                           SK Hynix
  DRAM 步进:                              4.4
  错误检查/纠正:                          无
[内存模块特征]
  行地址位:                               16
  列地址位:                               10
  内存模块密度:                           8192 Mb
  Rank 的数量:                            1
  Bank 组的数量:                          4
  设备位宽:                               8 bits
  总线位宽:                               64 bits
  Die Count:                              1
  内存模块标称电压 (VDD):                 1.2 V
  最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin):        0.83300 ns (1200 MHz)
  最大 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmax):        1.60000 ns
  支持的 CAS# 延迟:                       10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
  最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin):            13.750 ns
  最小 RAS# 到 CAS# 迟延 (tRCDmin):       13.750 ns
  Minimum Row Precharge Time (tRPmin):    13.750 ns
  Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 32.000 ns
  支持的内存模块时序 1200.0 MHz:          17-17-17-39
  支持的内存模块时序 1066.7 MHz:          15-15-15-35
  支持的内存模块时序 933.3 MHz:           13-13-13-30
  支持的内存模块时序 800.0 MHz:           11-11-11-26
  支持的内存模块时序 666.7 MHz:           10-10-10-22
  Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 45.750 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
  Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 3.300 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.900 ns
  Minimum CAS to CAS Delay Time - Same Bank Group (tCCD_Lmin): 5.000 ns
[特征]
  内存模块温度传感器 (TSOD):              不支持
  内存模块标称高度:                       31 - 32 mm
  内存模块最大厚度 (正面):                1 - 2 mm
  内存模块最大厚度 (背面):                <= 1 mm
  Address Mapping from Edge Connector to DRAM: Standard
[英特尔极限内存配置文件 (XMP)]
  XMP Revision:                           2.0
[认证配置文件 [启用]]
  内存模块 VDD 电压等级:                  1.35 V
  最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin):        0.62500 ns (1600 MHz)
  支持的 CAS# 延迟:                       9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
  最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin):            10.000 ns
  最小 RAS# 到 CAS# 迟延 (tRCDmin):       11.250 ns
  Minimum Row Precharge Time (tRPmin):    11.250 ns
  Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 22.500 ns
  支持的内存模块时序 1600.0 MHz:          16-18-18-36
  支持的内存模块时序 1466.7 MHz:          15-17-17-33
  支持的内存模块时序 1333.3 MHz:          14-15-15-30
  支持的内存模块时序 1200.0 MHz:          12-14-14-27
  支持的内存模块时序 1066.7 MHz:          11-12-12-24
  支持的内存模块时序 933.3 MHz:           10-11-11-21
  Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 45.750 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
  Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 4.375 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 5.625 ns
[极限配置文件 [启用]]
  内存模块 VDD 电压等级:                  1.35 V
  最小 SDRAM 周期时间 (tCKAVGmin):        0.66600 ns (1500 MHz)
  支持的 CAS# 延迟:                       9, 10, 11, 12, 13, 14, 15, 16, 17, 18
  最小 CAS# 延迟时间 (tAAmin):            9.990 ns
  最小 RAS# 到 CAS# 迟延 (tRCDmin):       11.322 ns
  Minimum Row Precharge Time (tRPmin):    11.322 ns
  Minimum Active to Precharge Time (tRASmin): 23.875 ns
  支持的内存模块时序 1500.0 MHz:          15-17-17-36
  支持的内存模块时序 1466.7 MHz:          15-17-17-35
  支持的内存模块时序 1333.3 MHz:          14-16-16-32
  支持的内存模块时序 1200.0 MHz:          12-14-14-29
  支持的内存模块时序 1066.7 MHz:          11-13-13-26
  支持的内存模块时序 933.3 MHz:           10-11-11-23
  Minimum Active to Active/Refresh Time (tRCmin): 45.750 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC1min): 350.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC2min): 260.000 ns
  Minimum Refresh Recovery Time Delay (tRFC4min): 160.000 ns
  Minimum Four Activate Window Delay Time (tFAWmin): 21.000 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Different Bank Group (tRRD_Smin): 4.662 ns
  Minimum Active to Active Delay Time - Same Bank Group (tRRD_Lmin): 4.662 ns

图钉鱼

wowocock 发表于 2025-12-23 16:15
HWiNFO? 64 Version 8.34-5870

DESKTOP-KTQB45Q -------------------------------------------------- ...

你内存没开xmp，现在是2400mhz低频率运行。开了xmp可以跑3200mhz。
但是问题不是这个，因为2400mhz的性能也远超这个数值。如果是虚拟机那很合理，但实机的话，就是另一个可能了。你用的应该是使用PCIe 3.0 x4 通道的 NVMe 固态硬盘，系统启用了虚拟内存。
然后从我的程序日志中:
[2025-12-23 13:57:27] [警告] 内存读写预检警告: 未能启用SeLockMemoryPrivilege(锁定内存页) WinErr=1300
[2025-12-23 13:57:30] ... 未能启用SeLockMemoryPrivilege(锁定内存页) WinErr=1300

程序没有权限锁定物理内存，系统调度直接分配了一部分物理内存和虚拟内存混合使用，所以测试测到了固态硬盘的速度和混合的延迟(物理内存拉高了平均延迟)。

很可能情况：
一部分访问命中真实内存，
一部分访问触发page fault，走 SSD。

你用选项6，提权下，注销当前用户再进入测试下。看下有没有权限锁定物理内存没。

wowocock

图钉鱼 发表于 2025-12-23 17:35
你内存没开xmp，现在是2400mhz低频率运行。开了xmp可以跑3200mhz。
但是问题不是这个，因为2400mhz的性 ...

BIOS里打开了XMP，貌似没啥区别
2025-12-23 17:53:37] 日志系统初始化成功
[2025-12-23 17:53:37] [信息] 控制台编码诊断: OutputCP=65001, InputCP=65001, Font=新宋体, Elevated=true
[2025-12-23 17:53:37] [信息] 内存诊断工具启动
[2025-12-23 17:53:37] [信息] Windows安全/虚拟化状态: 未检测到会显著干扰测试的特性 (RegErr=2)
[2025-12-23 17:53:46] [信息] 用户确认开始稳定性测试
[2025-12-23 17:53:53] [警告] 内存性能不正常: 读取 2644.198963 MB/s，写入 1093.052405 MB/s
[2025-12-23 17:53:53] [警告] 内存读取延迟过高: 104.666667 ns
[2025-12-23 17:53:53] [警告] 内存写入延迟过高: 96.333333 ns
[2025-12-23 17:53:56] [警告] 检测到信号干扰，可能影响内存稳定性
[2025-12-23 17:53:56] [信息] 内存诊断工具结束
[2025-12-23 17:54:05] 日志系统关闭